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三星代生产计划曝光,三星明年将成全球首个提

时间:2019-11-13 10:54来源:技术资讯
原标题:三星明年将成全球首个提供3D SiP的代工厂,3nm 2020年试产 智东西(公众号:zhidxcom) 据 Anandtech 报道,去年 10 月,三星 Foundry 正式开始使用其 7nm LPP制程工艺生产芯片,此后并

原标题:三星明年将成全球首个提供3D SiP的代工厂,3nm 2020年试产

智东西(公众号:zhidxcom)

据 Anandtech 报道,去年 10 月,三星 Foundry 正式开始使用其 7nm LPP 制程工艺生产芯片,此后并未放缓其制造技术的发展。该公司有望在 2019 年下半年采用其精制的 6nm LPP技术开始批量生产。此外,该公司表示将推出其首款 5nm LPESoC 并且将在未来几个月内完成其 4nm LPE工艺的研发。

雷锋网消息,三星最近在日本举办了三星铸造论坛2018(Samsung Foundry Forum 2018,SFF),发布了几个重要的信息。 除了重申计划在未来几个季度开始使用极紫外光刻(EUVL)开始大批量生产(HVM),同时重申计划使用具有3纳米节点的栅极FET(GAAFET),三星还将新的8LPU工艺技术增加到其路线图。另外,2019年开始提供3D SiP以及2020年开始风险生产3nm节点也都是亮点。

编| 赵佳蕊

在未来几年内,三星 Foundry 将通过优化或插入高级模块继续使用其 14 nm,10 nm 和 7 nm 节点,以满足特定应用的需求。

10纳米节点

导语:三星将于2019年下半年开始大规模生产6LPP,5LPE将在今年内完成流片、明年上半年量产,4LPE也会在年内设计完毕,2021年大规模生产。

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三星代工厂的总体路线图于今年早些时候公布 ,因此在日本的SFF,三星重申其部分计划,也进行了一些修正,并提供了有关其未来计划的一些额外细节。

智东西8月2日消息,据外媒AnandTech最新报道,三星代工厂从去年开始生产7LPP(7nm low power plus)制造工艺的芯片,在这之后三星仍加速推动其制造工艺的发展,并于近日宣布将于2019年下半年开始大规模生产6LPP制造工艺的芯片。

正如所料,极紫外光刻将成为三星领先的下一代制造工艺的关键推动因素。使用 EUV 的第一项技术是 7nm LPP,其后续产品将更广泛地使用它。

首先,三星基于10纳米工艺增加了被称为8LPU(low power ultimate)的新工艺,根据三星的分类,这是一个为需要高时钟频率和高晶体管密度SoC准备的工艺。8LPU是8LPP技术平台的进一步升级,可能会增加晶体管密度和提升频率。三星的8LPP技术去年投入生产 ,基于三星10纳米节点的开发,与10LPP相比,更窄的最小金属间距可减小10%的面积(同样的复杂性),并且功耗降低10%(同样的频率和复杂性)。 不过,三星没有透露它如何在8LPP的基础上提升8LPU,比如设计规则、新的库以及最小金属间距。

此外三星还表示,5LPE(5nm Low Power Early)将在今年内完成流片、明年上半年量产。4LPE也会在年内设计完毕,2021年大规模生产。

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三星8LPP和8LPU技术面向需要比10LPC和10LPU工艺所能提供的更高性能或更低功率或更高晶体管密度的客户,但无法获得三星7LPP或更先进的制造技术EUVL。 8LPU的风险生产将于2018年开始,预计明年将在韩国Giheung的Fab S1工厂开始大批量生产。

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今年晚些时候,三星将采用其 6nm LPP 工艺技术开始生产芯片。三星的 6LPP nm 是三星 7nm LPP 的精制版,提供更高的晶体管密度,更低的功耗,但可以重复使用最初为 7nm LPP 设计的 IP。

7LPP EUV正在进行中

新豪天地登录网址,一、三星FinFET工艺芯片市场需求强劲

三星 7nm LPP 生产技术发展的下一步将是其 5nm LPE 制造工艺。与 6nm LPP 相比,在功率,性能和面积方面提供了更多的好处,但也可以重用最初为初始过程设计的 IP。三星预计将在今年下半年推出使用其 5nm LPE 技术的首批芯片,预计将在 2020 年上半年大规模生产。

去年三星承诺在2018年开始使用7LPP生产芯片,看来,三星已经开始制造7LPP SoC,但可能仅限于其母公司,因为其MPW(Multi-Project Wafer)服务时间表未提及7LPP。 7LPP生产技术将是三星代工厂的旗舰工艺,因此很可能首先用于三星的移动SoC。 同时,该工艺也适用于针对HPC,ML和AI芯片。 例如,三星正在为定制芯片准备专用IP,包括100 Gbps SerDes等。

据三星称,市场对于10LPP/8LPP技术制造的移动SoCs,14LPx/10LPP工艺制造的移动、高性能计算、汽车和网络产品有着强劲的需求。也就是说,三星使用其FinFET工艺制造的产品受到了市场的好评。接下来几年的时间里,三星代工厂将继续使用14nm、10nm和7nm的技术,通过优化或者插入先进的模块来完善特定的应用。

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据外媒AnandTech报道,一般的半导体制造商,通常会在18至24个月就大幅提升节点,但三星与其他半导体制造商不一样的是,三星对每个节点的技术都会不断更新和优化,以满足不同客户的需求。三星的这个做法允许它更好的控制其制造成本和制造风险。

三星 Foundry 预计,在客户流失方面,5nm LPE 将成为其 2020 年的主要 EUVL 节点,可能是因为该技术将能够为各种应用提供众多优势,而三星的 EUV 产量将会更高。6nm LPP 和 5nm LPE 技术将比 7nm LPP 工艺更广泛使用的另一个原因是因为三星铸造厂将在未来几个月内建立其在 Hwaseong 的 EUV 生产线后拥有更多的 EUV 产能,Hwaseong 是从一开始就为 EUV 设备而设计的。该工厂耗资 46.15 亿美元,不久将完工,预计将于 2020 年开始大批量生产。

在论坛上,三星表示已经在韩国华城的Fab S3安装了多个ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步进和扫描系统。当然并未透露具体的数量,但它明确扫描仪的每日晶圆(WPD)性能符合其批量生产目标。 事实上,由于EUV将首次用于HVM,三星代工厂不倾向于将其扩展到特定客户的设计之外(三星和高通已经为骁龙 5G SoC选择了7LPP,将在2019年生产)。

二、5LPE工艺年内完成流片,4LPE工艺年内设计完毕

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三星表示,如果不出意外的话,EUV技术将成为三星下一代制造工艺的关键推动技术,第一个使用EUV技术的是7LPP制造工艺,之后还会更多的制造工艺使用EUV技术。

在三华工厂建立另一条生产线之后,三星将对EUV光刻技术的进行扩展,该生产线预计将耗资 6万亿韩元(约46.15亿美元),预计将于2019年完工,并于2020年启动HVM。因此,三星使用EUVL设备的生产将会限制在一个工厂至少几个季度,这或许也是三星代工厂开发8LPP和8LPU工艺的原因。

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5/4nm 2019年的风险试产

三星还表示,三星6LPP制造工艺是7LPP的改良版,6LPP制造工艺相比于7LPP制造工艺能提供更高的晶体管密度,并且功耗更低。

当华城的新生产线投入运营时,三星承诺将开始风险试产5/4 nm节点。三星正在准备5LPE,4LPE和4LPP技术,当然也可能增加。 根据三星迄今为止所披露的情况,它们将具有一定的相似性,这将简化从5LPE到4LPP的迁移。

三星规划将在今年下半年推出5LPE的首批芯片,它在功耗、性能和面积等方面都将优于6LPP制造工艺,并预计在2020年上半年就大规模生产。三星代工厂还预计,5LPE技术将在2020年成为主要的EUV工艺节点,将在高性能计算、移动芯片等多方面应用有众多优势。

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三星还规划了7LPP工艺的终极迭代版本4LPE工艺,它将在今年下半年完成开发,预计在2020年制造首批芯片,大规模生产应该会在2021年。

三星在SFF 2018日本展示的一张幻灯片表明,三星预计使用5/4 nm节点的芯片将于2019年开始风险生产,这表明这些工艺技术将共存而不是相互跟随。 由于三星几乎没有理由设计竞争性制造工艺,因此它的5LPE更有可能在2020年首先用于HVM,然后4LPE / 4LPP将使用随后新增的EUV设备,除非三星的路线图发生重大变化。

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要记住的一件事,三星的5/4 nm将成为该公司使用FinFET晶体管的最后一个节点,这就是为什么它将成为未来许多年使用的“长”节点,就像今天使用的28nm技术。

三星将会在华城兴建工厂,提供更多的EUV生产线来满足未来对6LPP和5LPE工艺的需要,这座造价46.15亿美元的工厂将会很快完工,预计于2020年开始大规模生产。

3纳米2020年风险生产

结语:三星代工厂规划明确

三星宣布的令人意外事件之一是在2020年开始使用其3纳米节点进行风险生产,这比之前的预期至少提前一年。 三星的3纳米将是第一个使用该公司自己的GAAFET实现的节点,称为MBCFET(multi-bridge-channel FETs),并且至少包含两种工艺技术:3GAAE和3GAAP(3nm gate-all-around early/plus)。

三星对其芯片制造工艺的稳步推进,为其技术的发展奠定了非常扎实的基础,同时它合理的规划也能够稳步推动其代工厂稳步的发展,只有这样踏实稳定才能使三星不断扩大芯片代工厂的规模。

不过三星仍没有公布3GAAE和3GAAP的任何目标,很难说该公司何时会生产基于MBCFET技术的商用SoC。我们今天所理解的是两种技术都依赖于EUVL,因此在使用之前,三星必须确保EUV提供必要的产量和性能。 考虑到三星对ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步进扫描系统的性能表示满意,并预计WPD生产率将进一步提高,因此有可能将其引入3纳米节点。

我们也期待三星的技术可以不断进步,为行业带来突破性的发展,为我们的电子产品带来更流畅的体验。

18FDS将于2019年风险生产

文章来源:AnandTech

虽然距离GAAFET只有几年的时间,但平面晶体管的技术不会随处可见仍会不断发展。 三星代工厂将继续支持FD-SOI技术,并将成为GlobalFoundries的22FDX和12FDX产品强大的竞争对手。

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三星代工厂打算在2019年开始使用其18FDS开始风险生产,所以HVM要到2020。 该技术采用与三星14LPE / 14LPP相同的BEOL互连(即最初为其20纳米平面工艺开发的BEOL),但采用了新的晶体管和FEOL。 三星承诺 ,与其28FDS相比,18FDS将使性能提高20%(在相同的复杂性和功率下),功率降低40%(在相同的频率和复杂度下),并且芯片面积减小30%。

特别重要的是,18FDS将支持RF和eMRAM,使得三星代工厂能满足2020年及以后的5G时代RF和嵌入式存储器的各种应用需求。

3D系统级封装在2019年提供

芯片封装技术近来变得越来越重要,因为将所有器件集成到单个处理器中变得越来越困难和昂贵。 三星(与台积电和GlobalFoundries一样)已经为复杂产品提供了许多封装解决方案,例如用于移动SoC的FOPLP-PoP和用于HBM2 DRAM芯片的I-Cube(2.5D)。明年三星将提供其3D SiP(系统级封装)解决方案,使其能够将各种器件封装在一个面积很小的三维封装中。

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三星代工厂的3D SiP将成为业界首个用于异构3D SiP的技术之一(目前所有SiP都是2D)。 封装解决方案将使半导体合约制造商能够使用完全不同工艺技术制造的元件组装SiP。

不过,三星的代工厂近日出现了致死事故,详见雷锋网《三星韩国芯片工厂二氧化碳泄漏致一死两伤,为何事故频发?》

雷锋网编译,via anandtech返回搜狐,查看更多

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